紫光国芯推出自研 PSRAM 芯片，最高 128Mb 容量

【导语】紫光国芯发布自主研发PSRAM芯片系列，为物联网等设备提供高效存储解决方案7月1日，紫光国芯宣布其自主研发的PSRAM芯片系列正式面世。该系列芯片兼容主流接口协议，容量多样，速度提升，并支持多种低功耗模式，可广泛应用于物联网、穿戴电子及端侧AI产品，满足复杂应用场景需求。

　　7 月 1 日消息，紫光国芯官宣，其自主研发的PSRAM（注：伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布。

　　此次上新的 PSRAM 产品兼容业界主流接口协议 Xccela，容量覆盖 32Mb、64Mb 和 128Mb，采用 BGA24L 超薄封装，同时也支持 KGD 产品形式。该系列产品可为物联网设备、穿戴电子产品和端侧 AI 产品打造存储解决方案。

　　紫光国芯 PSRAM 产品在进一步实现芯片尺寸紧凑的同时，将产品速度提升至 1066Mbps，可实现最高 17.06Gb/s 的带宽性能；还可支持在线动态可配置 X8、X16 模式，以适配不同应用的需求。

　　为满足物联网终端设备对长续航的需求，紫光国芯 PSRAM 系列产品支持包括 Half Sleep 的低功耗设计，主力产品支持常规 1.8v 低压供电，即将上市的 256Mb PSRAM 新品(pǐn)可(kě)支(zhī)持(chí) 1.8v&1.2v 双(shuāng)压(yā)和(hé) 1.2v DVFS0.6v 两(liǎng)种(zhǒng)超(chāo)低(dī)功(gōng)耗(hào)模(mó)式(shì)。

　　此(cǐ)外(wài)，基(jī)于(yú)工(gōng)规(guī)级(jí)宽(kuān)温(wēn)域的(de)设(shè)计(jì)，该(gāi)系(xì)列(liè)产(chǎn)品(pǐn)可(kě)适(shì)应(yīng)物(wù)联(lián)网(wǎng)、智(zhì)能(néng)穿(chuān)戴(dài)等(děng)各(gè)类(lèi)复(fù)杂(zá)应(yīng)用(yòng)场(chǎng)景(jǐng)的(de)多(duō)样(yàng)化(huà)需(xū)求。