长鑫科技骆晓东：中国需要建立稳定的国产DRAM产能供应链
【导语】11月23日，在IC China 2025同期举办的第七届全球IC企业家大会上，长鑫科技集团市场中心负责人骆晓东称，中国需建稳定国产DRAM产(chǎn)能(néng)供(gōng)应(yīng)链(liàn)。当(dāng)下(xià)存(cún)储(chǔ)行(xíng)业(yè)进(jìn)入(rù)“超(chāo)级(jí)周(zhōu)期(qī)”，DRAM需(xū)求(qiú)爆(bào)发(fā)、供(gōng)不(bù)应(yīng)求(qiú)，国(guó)产(chǎn)DRAM发(fā)展(zhǎn)面(miàn)临(lín)技(jì)术(shù)、人(rén)才(cái)、市(shì)场(chǎng)壁(bì)垒(lěi)。长(zhǎng)鑫(xīn)填(tián)补(bǔ)国(guó)内(nèi)产(chǎn)业(yè)空(kōng)白(bái)，完(wán)成(chéng)产品迭代，其DDR5、LPDDR5X达国际领先水平，未来将坚持技术贴合市场，助力中国半导体自主崛起 。
11月23日(rì)，长(zhǎng)鑫(xīn)科(kē)技(jì)集团(tuán)股(gǔ)份(fèn)有(yǒu)限(xiàn)公(gōng)司(sī)市(shì)场(chǎng)中(zhōng)心(xīn)负(fù)责(zé)人(rén)骆(luò)晓(xiǎo)东(dōng)在(zài)第(dì)二(èr)十(shí)二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）同(tóng)期(qī)举(jǔ)办(bàn)的(de)第(dì)七(qī)届(jiè)全球(qiú)IC企业家大会上表示，中国需要建立稳定的国产DRAM（动态随机存取存储芯片）产能供应链,以减少对海外厂商的产能依赖。未来一段时间，LPDDR5X和(hé)DDR5将作为移动和服务器市场的双引擎，引领行业升级。长鑫存储在IC China 2025上正式发布了其最新DDR5系列产品，最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平。
DRAM内存芯片是数字时代不可或缺的基础原件。骆晓东表示，在过去几十年里，市场在不断变革，从PC时代到移动手机时代，再到数据中心以及最近非常热门的人工智能时代，整个产业周期的需求也将伴随结构升级不断演变。
骆(luò)晓(xiǎo)东(dōng)认(rèn)为(wèi)，DRAM产业具备三个明显的特征：一是高投资，每个DRAM产线动辄需要投入数百亿美元，涵盖设备、厂房建设、研发等各个环节，资本壁垒极高；二是高垄断，过(guò)去(qù)几(jǐ)年(nián)，全球(qiú)几(jǐ)十(shí)家(jiā)DRAM厂商的市场份额都在缩减，三大DRAM厂商（SK海力士、三星电子和美光科技）占据90%以上的市场份额，行业集中度非常高；三是强周期，DRAM的价格随着供需变化会出现非常大的波动，产业周期波动的幅度远超其他行业。
“最近存储行业进入了一个所谓的‘超级周期’，在这个由AI需(xū)求(qiú)爆(bào)发(fā)所(suǒ)带(dài)来(lái)的(de)新(xīn)周(zhōu)期(qī)内(nèi)，DRAM需求呈现爆发式增长，产能增加远远跟不上需求增加，这对市场供给、价格变化都带来了巨大影响。”骆晓东说道。他指出，当下DRAM市场供不应求的状况对下游客户和行业带来了极大的挑战。中国需要有非常稳定的国产DRAM产能供应，通过产能提升和规模效应来减少对海外厂商的产能依赖。
骆晓东表示，回顾国产DRAM发展史，产业发展长期面临三大壁垒：首先是技术壁垒，1970年英特尔推出的DRAM芯片1103奠定了整个行业发展的基础，此后半个世纪以来竞争格局不断发生变化，但是后面资本垄断的本质从未改变，海外厂商通过差异化技术路线砌起非常高的技术壁垒；同时在这样的竞争环境下，经过几十年的行业沉淀形成了非常封闭的人才梯队，而中国本土的DRAM设计、生产、研发、运营人才都非常欠缺；第三是市场壁垒，DRAM作为大宗商品，新玩家既要突破资本的门槛，更要应对巨头的规模挤压、价格以及产能调控带来的市场波动。
据了解，作为中国大陆首个实现大规模量产(chǎn)的(de)DRAM厂商，长鑫填补了国内DRAM的产业空白。经过过去9年的持续破壁，长鑫取得了技术及产品的持续创新和演进。
产线建设(shè)方面，长鑫在合肥、北京建成了两大生产基地。其中，合肥生产基地是国内集成电路产业集群核心承载地，已集聚了众多产业链企业，形成了设计、制造、封装、测试、装备、材料的全产业链路格局。北京生产基(jī)地(de)则(zé)依(yī)托(tuō)京(jīng)津(jīn)冀(jì)产(chǎn)业(yè)集群(qún)快(kuài)速(sù)链(liàn)接(jiē)上(shàng)下(xià)游(yóu)资(zī)源(yuán)，叠(dié)加(jiā)头(tóu)部(bù)企(qǐ)业(yè)，聚(jù)焦(jiāo)产学研协同紧密的优势，为DRAM技术迭代、高端人才引育提供核心支撑。
产品方面，当前长鑫已完成从DDR4到(dào)DDR5、从LPDDR4X到LPDDR5X的产能与技术双重迭代，为市场与产业升级提供创新存储解决方案。DDR（计算机内存的一种类型）产品线已首发国产自主设计生产的DDR5产品，速率最高可达8000Mbps，能够大幅缓解高算力需求下的“内存墙”瓶颈。同时24Gb的大容量颗粒为构建高密度服务器模组提供支持，响应数据中心对海量数据处理的迫切需求，并推出7大模组矩阵，适配多元场景的海量算力需求。LPDDR（用于移动设备的低功耗内存）产品线在今年10月推出的LPDDR5X最高速率达到10667Mbps，跃居世界顶尖水平，产品覆盖12GB至32GB的丰富组合，并通过封装创新满足手机小型化、轻薄化以及支持端侧算力等需求。基于对整个市场趋势的深度分析，骆晓东判断LPDDR5X和DDR5将作为移动和服务器市场的双引擎，在接下去的几年内扮演重要的角色，同时也将带动整个行业的升级。
“过去尔必达因为过度执着于技术迭代，忽视市场需求变化与成本控制，最终陷入了困境，这一教训让我们坚信技术脱离市场便是无源之水，市场缺少技术则是无进阶之力。我们要以突破物理边界的魄力探索未来，更要顺应产业趋势的务实笃行不怠，在超高速率的移动赛道树立国产标杆，用稳定安全为服务器的生态筑牢算力根基，让技术创新更贴合市场脉搏，让产品落地回应真实需求。”骆晓东表示，“在内存芯片本土化的过程中，长鑫既要做敢闯敢试的破局者，又要做脚踏实地的深耕者，始终坚持技术贴合市场方能行稳致远的初心，为中国半导体的自主崛起书写创新的篇章。”
在IC China 2025博览会上，长鑫存储还展示了最高速率达10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。
